Partnerschaft 1 - Institut für Werkstofftechnik, Fachgebiet Werkstoffe der Elektrotechnik (TU Ilmenau) und Institut für Elektronik und Photonik, Lehrstuhl Mikroelektronik (STU Bratislava). - In: Retrospektive 50 Jahre Zusammenarbeit Slowakische Technische Universität Bratislava - Technische Universität Ilmenau, (2015), S. 13-37
Entwicklung der Zusammenarbeit - Suche nach Gemeinsamkeiten in Lehre und Forschung. - In: Retrospektive 50 Jahre Zusammenarbeit Slowakische Technische Universität Bratislava - Technische Universität Ilmenau, (2015), S. 4-12
Ein Blick in die Historie - Zeittafel. - In: Retrospektive 50 Jahre Zusammenarbeit Slowakische Technische Universität Bratislava - Technische Universität Ilmenau, (2015), S. 1-3
Retrospektive 50 Jahre Zusammenarbeit Slowakische Technische Universität Bratislava - Technische Universität Ilmenau : Festschrift 1965 - 2015. - Ilmenau : Techn. Univ., 2015. - X, 90 S.
Grundlegende Betrachtungen zur Umsetzung der EU-Richtlinie 2013/59 : "Schutz vor den Gefahren einer Exposition gegenüber ionisierender Strahlung" aus der Sicht der Ausbildung und Industrie. - Saarbrücken : Südwestdt. Verl. für Hochschulschriften, 2015. - VI, 131 S. ISBN 978-3-8381-5091-8
Literaturverz. S. 127 - 131
Aluminum-based PVD rear-side metallization for front-junction nPERT silicon solar cells. - Ilmenau : Universitätsverlag Ilmenau, 2015. - Online-Ressource (PDF-Datei: 204 S., 28,10 MB). - (Werkstofftechnik aktuell ; 11) : Dissertation, Technische Universität Ilmenau, 2014
Parallel als Druckausg. erschienen
Diese Arbeit befasst sich mit Al-basierter physikalischer Gasphasenabscheidung als alternatives Herstellungsverfahren einer Rückseitenmetallisierung für nPERT Siliziumsolarzellen. Al-basierte Metallisierungssysteme wie Al, Al-Si-Legierung (1 at% Si) und Al-Si/Al- Schichtstapel wurden in Bezug auf Al-Spiking, spezifischem Kontaktwiderstand und Rückseitenreflexion untersucht und verglichen. Bei Verwendung einer Al-Einzelschichtmetallisierung kam es zur Bildung von Al-Spikes. Wurde eine Al-Si-Legierung aufgebracht, konnte das Al-Spiking vermieden werden, jedoch gleichzeitig mit einer Bildung von starkausgeprägten Si-Präzipitaten. Deswegen wurde ein neuer Ansatz mit einem Al-Si/Al-Schichtstapel statt Einzelschichtsystemen entwickelt. Mit diesem Ansatz und mit einer optimierten Dicke der Al-Si-Schicht konnten sowohl das Al-Spiking als auch die Si-Präzipitation deutlich reduziert werden. Der optimierte Al-Si/Al-Schichtstapel zeigte zusätzlich einen ausreichend niedrigen spezifischen Kontaktwidestand und eine hohe Rückseitenreflexion und darüber hinaus eine deutlich höhere thermische Stabilität verglichen mit dem Al-Einzelschichtmetallisierung.
https://www.db-thueringen.de/receive/dbt_mods_00025639
Synchronous formation of ZnO/ZnS core/shell nanotube arrays with removal of template for meliorating photoelectronic performance. - In: The journal of physical chemistry, ISSN 1932-7455, Bd. 119 (2015), 3, S. 1575-1582
Correction. - Bd. 119 (2015), 25, S. 14461
http://dx.doi.org/10.1021/jp510835n
Properties of sputtered TiO2 thin films as a function of deposition and annealing parameters. - In: Physica, ISSN 1873-2135, Bd. 463 (2015), S. 20-25
Im Titel ist "2" tiefgestellt
https://doi.org/10.1016/j.physb.2015.01.037
Quick determination of specific contact resistance of metal-semiconductor point contacts on highly doped silicon. - In: IEEE journal of photovoltaics, ISSN 2156-3403, Bd. 5 (2015), 1, S. 299-306
https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2014.2362302
Laser nitriding and carburization of materials. - In: Laser surface engineering, (2015), S. 33-58
Literaturverz. S. 51 - 58