Novotny, I.; Breternitz, Volkmar; Ivanic, R.; Knedlik, Christian; Tvarozek, Vladimir; Spieß, Lothar; Rehacek, Vlastimil
Thin film microelectrode arrays for electrochemical biosensors. - In: [Vortragsreihen, (1999), S. 215-220
Thin film microelectrode arrays for electrochemical biosensors. - In: [Vortragsreihen, (1999), S. 215-220
Romanus, Henry;
Teichert, Gerd; Spieß, Lothar
Investigation of polymorphism and estimation of lattice constants of SiC epilayers by four circle X-ray diffraction. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 437-440
Investigation of polymorphism and estimation of lattice constants of SiC epilayers by four circle X-ray diffraction. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 437-440
Fabricius, Alexander; Breternitz, Volkmar; Knedlik, Christian; Henning, Andreas; Liebscher, Eckhard; Vogel, Silvia
Investigations of electromigration failure by electrical measurement and scanning probe microscopy with additional simulation. - In: Materials reliability in microelectronics VIII, (1998), S. 27-32
Investigations of electromigration failure by electrical measurement and scanning probe microscopy with additional simulation. - In: Materials reliability in microelectronics VIII, (1998), S. 27-32
Pezoldt, Jörg; Stauden, Thomas; Cimalla, Volker; Ecke, Gernot; Romanus, Henry; Eichhorn, Gerd
Growth of SiC layers on (111) Si by solid source molecular beam epitaxy. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 251-254
Growth of SiC layers on (111) Si by solid source molecular beam epitaxy. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 251-254
Henning, Andreas; Liebscher, Eckhard; Vogel, Silvia; Fabricius, Alexander; Breternitz, Volkmar; Knedlik, Christian
Simulation des Ausfallverhaltens von Al (Si Cu) Leitbahnen mit Hilfe von Threshold-Modellen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Simulation des Ausfallverhaltens von Al (Si Cu) Leitbahnen mit Hilfe von Threshold-Modellen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Romanus, Henry; Teichert, Gerd; Schawohl, Jens; Spieß, Lothar
Röntgenografische Textur- und Einkristalluntersuchungen an SiC. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 5 S.
Röntgenografische Textur- und Einkristalluntersuchungen an SiC. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 5 S.
Scharmann, Friedhelm; Teichert, Gerd; Eichhorn, Gerd; Pezoldt, Jörg
Polytypanalyse von Epitaxieschichten mit RHEED. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Polytypanalyse von Epitaxieschichten mit RHEED. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Teichert, Gerd; Schleicher, Larissa; Spieß, Lothar; Yankov, Rossen A.; Knedlik, Christian; Pezoldt, Jörg
Thermowellenanalyse an implantiertem SiC. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 8 S.
Thermowellenanalyse an implantiertem SiC. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 8 S.
Spieß, Lothar; Romanus, Henry; Teichert, Gerd; Pezoldt, Jörg
Werkstoffanalytische Probleme bei der Charakterisierung von Siliziumkarbid für Mikrotechnikanwendungen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Werkstoffanalytische Probleme bei der Charakterisierung von Siliziumkarbid für Mikrotechnikanwendungen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Vaněk, Oldrich; Knedlik, Christian; Držík, M.; Hučko, B.
Numerical simulation and experimental measurement of thermal stresses in Si-AlN and Si-SiC systems. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Numerical simulation and experimental measurement of thermal stresses in Si-AlN and Si-SiC systems. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.