Knedlik, Christian; Breternitz, Volkmar; Tippmann, Herbert; Jacobs, Th.; Schawohl, Jens; Teichert, Gerd; Scheffner, W.; Gutermuth, Uwe
Alterungsverhalten von Zinn-Blei-Lotüberzügen auf Bronze-Kontaktstiften. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Alterungsverhalten von Zinn-Blei-Lotüberzügen auf Bronze-Kontaktstiften. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Hotovy, Ivan; Huran, Jozef; Breternitz, Volkmar; Spieß, Lothar; Teichert, Gerd; Schawohl, Jens
Effect of oxygen concentration in the sputtering mixture on the properties of dc magnetron sputtered NiO films. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Effect of oxygen concentration in the sputtering mixture on the properties of dc magnetron sputtered NiO films. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Tvarozek, Vladimir; Breternitz, Volkmar; Novotny, I.; Knedlik, Christian; Rehacek, Vlastimil; Ivanic, R.; Strigac, A.
Selected properties of thin film structures applicable in microelectrochemical cells. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 3 S.
Selected properties of thin film structures applicable in microelectrochemical cells. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 3 S.
Fabricius, A.; Breternitz, Volkmar; Knedlik, Christian;
Vergleichende Elektromigrationsuntersuchungen an passivierten und unpassivierten Al(SiCu) Leitbahnen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Vergleichende Elektromigrationsuntersuchungen an passivierten und unpassivierten Al(SiCu) Leitbahnen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Knedlik, Christian;
Spieß, Lothar;
Werkstoffe und Analytik für die Mikroelektronik aus der Sicht der Metallisierung und Kontaktierung. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Werkstoffe und Analytik für die Mikroelektronik aus der Sicht der Metallisierung und Kontaktierung. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Vaněk, Oldrich; Harmatha, L.; Stuchlíková, L.; Tippmann, Herbert; Janiček, J.
Nickel thin film resistance sensors for measurement of very low temperatures. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 4 S.
Nickel thin film resistance sensors for measurement of very low temperatures. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 4 S.
Goldhahn, Rüdiger; Shokhovets, Sviatoslav; Romanus, Henry; Cheng, T. S.; Foxon, C. Thomas
Free exciton recombination in tensile strained GaN grown on GaAs. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 1271-1274
Free exciton recombination in tensile strained GaN grown on GaAs. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 1271-1274
Romanus, Henry; Cimalla, Volker; Kromka, Alexander; Scheiner, Jörg; Spieß, Lothar; Pezoldt, Jörg
Atomic force microscopy investigations of rapid thermal carbonized silicon. - In: Materials science and engineering, ISSN 1873-4944, Bd. 47 (1997), 3, S. 274-278
http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(97)00045-7
Atomic force microscopy investigations of rapid thermal carbonized silicon. - In: Materials science and engineering, ISSN 1873-4944, Bd. 47 (1997), 3, S. 274-278
http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(97)00045-7
Spieß, Lothar;
Nennewitz, Olaf; Pezoldt, Jörg
Improved ohmic contacts to p-type 6H-SiC. - In: Silicon carbide and related materials 1995, (1996), S. 585-588
Improved ohmic contacts to p-type 6H-SiC. - In: Silicon carbide and related materials 1995, (1996), S. 585-588
Baumann, Uwe; Pezoldt, Jörg; Cimalla, Volker; Nennewitz, Olaf; Schwierz, Frank; Schipanski, Dagmar
Electrical characterization of SiC/Si-heterostructures formed by rapid thermal carbonization of Si. - In: Silicon carbide and related materials 1995, (1996), S. 149-152
Electrical characterization of SiC/Si-heterostructures formed by rapid thermal carbonization of Si. - In: Silicon carbide and related materials 1995, (1996), S. 149-152