Dziurdzia, B.; Nowak, S.; Ciez, M.; Gregorczyk, W.; Thust, Heiko; Polzer, E.
Low cost high performance microwave structures fabricated by advanced thick film techniques. - In: Proceedings, (1999), S. 421-427
Low cost high performance microwave structures fabricated by advanced thick film techniques. - In: Proceedings, (1999), S. 421-427
Cimalla, Volker; Stauden, Thomas; Eichhorn, Gerd; Pezoldt, Jörg
Influence of the heating ramp on the heteroepitaxial growth of SiC on Si. - In: Materials science and engineering. Solid state materials for advanced technology / American Society for Metals. - New York, NY [u.a.] : Elsevier, 1988- , ISSN: 1873-4944 , ZDB-ID: 1492109-1, ISSN 1873-4944, Bd. 61/62 (1999), S. 553-558
http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(98)00472-3
Influence of the heating ramp on the heteroepitaxial growth of SiC on Si. - In: Materials science and engineering. Solid state materials for advanced technology / American Society for Metals. - New York, NY [u.a.] : Elsevier, 1988- , ISSN: 1873-4944 , ZDB-ID: 1492109-1, ISSN 1873-4944, Bd. 61/62 (1999), S. 553-558
http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(98)00472-3
Wöhner, Thomas; Stauden, Thomas; Cimalla, Volker; Eichhorn, Gerd; Schäfer, Jürgen A.; Pezoldt, Jörg
In situ spectroscopic ellipsometry studies of the interaction process of ethene with Si surfaces during SiC formation. - In: In situ process diagnostics and modelling, (1999), S. 95-100
In situ spectroscopic ellipsometry studies of the interaction process of ethene with Si surfaces during SiC formation. - In: In situ process diagnostics and modelling, (1999), S. 95-100
Masari, Pierre; Moreaud, N.; Averous, Michel; Stauden, Thomas; Wöhner, Thomas; Pezoldt, Jörg
On the role of foreign atoms in the optimization of 3C-SiC/Si heterointerfaces. - In: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency and high-temperature applications - 1999, (1999), S. 213-218
On the role of foreign atoms in the optimization of 3C-SiC/Si heterointerfaces. - In: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency and high-temperature applications - 1999, (1999), S. 213-218
Erler, Frank; Romanus, Henry; Lindner, Jörg K. N.; Spieß, Lothar
High temperature stable WSi2-contacts on p-6H-silicon carbide. - In: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency and high-temperature applications - 1999, (1999), S. 111-116
High temperature stable WSi2-contacts on p-6H-silicon carbide. - In: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency and high-temperature applications - 1999, (1999), S. 111-116
Romanus, Henry; Cimalla, Volker; Ahmed, Syed Imad-Uddin; Schäfer, Jürgen A.; Ecke, Gernot; Avci, R.; Spieß, Lothar
Preparation of conductive tungsten carbide layers for SiC high temperature applications. - In: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency and high-temperature applications - 1999, (1999), S. 99-104
Preparation of conductive tungsten carbide layers for SiC high temperature applications. - In: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency and high-temperature applications - 1999, (1999), S. 99-104
Krüger, Horst Günter; Kern, Heinrich; Knote, Andreas
Anorganischer Schaumstoff für den Innenausbau. - In: Vorträge und Poster, (1999), S. 149-152
Anorganischer Schaumstoff für den Innenausbau. - In: Vorträge und Poster, (1999), S. 149-152
Krüger, Horst Günter; Schindler, Uwe
Elektrokinetisch unterstützter Druckguß für Keramikschlicker. - In: Vorträge und Poster, (1999), S. 143-147
Elektrokinetisch unterstützter Druckguß für Keramikschlicker. - In: Vorträge und Poster, (1999), S. 143-147
Dzur, Birger; Nutsch, Gabriele; Schwarze, Axel; Schilling, Joachim
Thermisches Trennen von Stahlbeton mit einem DC-Plasmaerzeuger. - In: Vorträge und Poster, (1999), S. 137-141
Thermisches Trennen von Stahlbeton mit einem DC-Plasmaerzeuger. - In: Vorträge und Poster, (1999), S. 137-141
Winkler, Volker; Kern, Heinrich; Knote, Andreas
Tribologische Untersuchungen in einer Stift-Platte-Anordnung im Temperaturbereich von -20 [Grad] C bis 800 [Grad] C. - In: Vorträge und Poster, (1999), S. 133-136
Tribologische Untersuchungen in einer Stift-Platte-Anordnung im Temperaturbereich von -20 [Grad] C bis 800 [Grad] C. - In: Vorträge und Poster, (1999), S. 133-136