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Wittig, Artur;
Ab initio Molekulardynamik-Simulationen der Protonenbeweglichkeit in chemisch modifizierten solid acids. - Ilmenau. - 43 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Bachelorarbeit 2023

In dieser Arbeit wurde die Protonenbeweglichkeit in zwei solid acid Systemen mittels ab initio Molekulardynamik-Simulation untersucht. Die Simulationen wurden mit CP2K durchgeführt. Beide Systeme sind chemische Modifikationen bekannter solid acids. Zum einen Cäsiumdihydrogenphosphat (CDP) mit der Zusammensetzung CsH2PO4, zum anderen Cäsiumhydrogensulfat (CSH) mit der Zusammensetzung CsHSO4. In einem System wurden die Cs-Ionen durch Protonen ersetzt. Das andere System ist eine Mischung, die zu gleichen Teilen die Oxoanionen H2PO4- aus CDP und HSO4- aus CSH in der crystallinen Phase enthält. Der Protontransfer findet in solid acids durch den Grotthuss Mechanismus, der sich in zwei Teile zerlegen lässt, statt. Zum einen in die Rotationszeiten der Anionen und zum anderen in die Sprungraten der Protonen. Es ist bekannt, dass bei CDP die Rotationszeiten der Anionen und bei CSH die Protonsprungraten der limitierende Faktor für den Protonentransport sind. Die resultierende Protonenbeweglichkeit wird unter Berücksichtigung der simulierten Rotationszeiten der Anionen und der Sprungraten der Protonen diskutiert. So können Trends identifiziert werden, die zum besseren Verständnis der Auswirkungen von chemischen Modifikationen auf die Protonenbeweglichkeit sowie der zielgerichteten Beeinflussung der Rotatonszeiten und Sprungraten für den Bau besserer Protonenleiter beitragen.



Johne, Patrick;
Charakterisierung der photoelektrochemischen Eigenschaften von GaAsP-basierten Nanodrahtstrukturen. - Ilmenau. - 85 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Masterarbeit 2023

Der Einsatz von Galliumarsenidphosphid-basierten Nanodrähten für die photoelektrochemische Wasserspaltung liefert diverse Vorteile gegenüber planaren Strukturen und anderen Materialien. Eine bestehende Herausforderung ist jedoch die mangelhafte Korrosionsresistenz, welche die Lebensdauer der Photoelektroden drastisch reduziert. In dieser Arbeit wurde der Einfluss schützender Passivierungsschichten in Form von Kern-Hülle-Strukturen auf die photoelektrochemischen Eigenschaften und die Korrosionsresistenz der Nanodraht-Photoelektroden untersucht. Zu diesem Zweck wurden auf Galliumarsenid-Substrat gewachsene Galliumarsenidphosphid-Nanodrähte mit unterschiedlichen Kern- und Hüllenzusammensetzungen sowie Hüllendicken mithilfe von Linear Sweep Voltammetry und Chronoamperometrie sowie durch Untersuchungen mit einem Rasterelektronenmikroskop charakterisiert. Die Ergebnisse zeigen eine starke Abhängigkeit der Korrosionsresistenz von der Kristallqualität, wobei Nanodraht-Kerne mit größerer Gitterfehlanpassung zum Substrat eine deutlich höhere Defektdichte aufwiesen. Das Hüllenwachstum verstärkte die negativen Auswirkungen auf die Materialqualität. Hohe Defektdichten wirkten sich neben der Korrosion auch negativ auf die Photostromdichte der Elektroden aus. Die mangelhafte Reproduzierbarkeit der Referenzmessungen mit dem verwendeten Galliumarsenid-Substrat mindert die Belastbarkeit der gewonnenen Ergebnisse. Die Ergebnisse zeigen, dass die Materialqualität einen fundamentalen Einfluss auf die photoelektrochemische Beständigkeit der Nanodrähte und deren passivierenden Hüllen sowie auf die Leistungsfähigkeit der gesamten Photoelektroden besitzt.



Bolz, Julian;
Geordnetes Wachstum von GaAs-Nanodrähten zur photoelektrochemischen Wasserspaltung. - Ilmenau. - 101Seiten
Technische Universität Ilmenau, Masterarbeit 2023

Die vorliegende Arbeit thematisiert die Herstellung von Galliumarsenid-Nanodrähten zur Anwendung der photoelektrochemischen Wasserspaltung. Das Ziel besteht hierbei darin die Nanodrähte in einer geordneten Struktur zu wachsen, um die Absorptionseigenschaften zu optimieren. Dazu findet eine dünne Aluminiummaske (UTAM) Anwendung, mittels derer Goldpartikel in homogenen Abständen auf einem Galliumarsenid-Substrat mit (111)-Oberfläche abgeschieden werden. Diese Goldpartikel induzieren im Rahmen der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) katalytisch das Wachstum der Nanodrähte. Bisherige Untersuchungen haben allerdings gezeigt, dass sich die Position der Partikel während eines vorbereitenden Prozesses zum Nanodrahtwachstum drastisch verändern kann. Diesem Verhalten wird mit einem zusätzlichen Schritt, dem sogenannten Pre-Annealing, entgegengewirkt. Mit Hilfe von Rasterelektronenaufnahmen wurden Modelle zur Bewegung der Goldpartikel während der einzelnen Prozessschritte entwickelt, die ein tiefgreifenderes Verständnis der Abläufe vermitteln. Die Sockelstruktur, welche die Goldpartikel während des Pre-Annealings bilden, weist verschiedene Formen auf und konnte als entscheidende Rolle bei der Bewegung der Partikel identifiziert werden. In daran anknüpfenden photoelektrochemischen Messungen wurde der Einfluss der geordneten Nanodrähte auf die Wasserstofferzeugung untersucht. Jedoch war es nicht möglich stabile Messbedingungen herzustellen, was vermutlich eine Folge der hohen Dotierkonzentration von Nanodrähten und Substrat im Bereich 10^19 cm^−3 und daraus resultierender Degeneration der Halbleiter ist.



Bohlemann, Chris Yannic;
Oberflächensensitive Untersuchungen von Arsen-terminierten Silizium(100)-Oberflächen. - Ilmenau. - 92 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Masterarbeit 2023

Für das Aufwachsen von III-V-Halbleiterstrukturen auf Silizium ist ein defektfreier, gitterangepasster Übergang von großer Bedeutung. Um diesen zu erreichen, bedarf es einer Doppelstufenstruktur auf der Siliziumoberfläche, die u.a. mit Hilfe einer Arsen-Terminierung erreicht werden kann. In dieser Arbeit wurde die Arsen-terminierte Silizium(100)-Oberfläche mit Hilfe von zwei unterschiedlichen Präparationsmethoden durch Metallorganische Gasphasenepitaxie hergestellt und unter Anwendung verschiedener zerstörungsfreier Oberflächencharakterisierungsmethoden analysiert. Diese umfassen die in situ Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie, die Fourier-transformierte Infrarotspektroskopie unter Nutzung spezieller ATR-Probenkristalle, die Röntgenphotoelektronenspektroskopie und die Beugung nierderenergetischer Elektronen. Die Proben verblieben dabei stets im Ultrahochvakuum. Die experimentellen Ergebnisse wurden mit den für diese Arbeit angefertigten Simulationen der Oberfläche durch A. Flötotto verglichen. Damit war es möglich, eine zuvor unbekannte Dimer-Struktur eindeutig für beide Präparationswege nachzuweisen. Des Weiteren konnten Hinweise auf eine Diffusion des Arsens in die Oberfläche sowie auf die Ordnung der Dimere entlang der Dimerreihen gefunden werden.



Gieß, Aaron;
Plasmagestützte Molekularstrahlepitaxie von hexagonalem ScGaN auf (0001) 6H-SiC. - Ilmenau. - 54 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Masterarbeit 2023

Gruppe III-Nitride bieten aufgrund ihrer Materialeigenschaften eine Vielzahl an Anwendungsmöglichkeiten für optische Bauteile und Sensoren. Unter Ihnen haben auch Scandium enthaltende ternäre Verbindungshalbleiter das Interesse der Grundlagenforschung geweckt. In dieser Arbeit wurde das Wachstum von Scandiumgalliumnitrid (ScGaN) auf Si-face 6H-Siliziumcarbid (SiC) mithilfe plasmagestützter Molekularstrahlepitaxie (PAMBE), in einem Ultrahochvakuum-System, etabliert. In Vorbereitung auf das Wachstum wurden die Kontaminationen des SiC-Substrats durch einen HF-Dip und einen Gallium-Anneal entfernt. Die Implementierung von Scandium in das etablierte GaN-Wachstum geht mit einigen Herausforderungen einher: (i) ScN neigt zu kubischem Wachstum und (ii) Gallium tendiert zur Ausbildung von flüssigen Tropfen, bei einem zu niedrigen Angebot von Stickstoff. Das Ziel war es geeignete Wachstumsparameter für das Wachstum von hexagonalen ScGaN zu finden. Hierfür wurden Scandium- und Galliumfluss systematisch variiert. Das Wachstum wurde in situ mithilfe von Beugung hochenergetischer Elektronen bei Reflexion (RHEED) untersucht. Weitere Untersuchungen mit Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS), Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Ultraviolettphotoelektronenspektroskopie (UPS) gaben Aufschluss auf die Stöchiometrie, Topografie und Valenzbandstruktur der Schichten. Diese Arbeit ist die Grundlage für folgende Untersuchungen an den elektronischen Eigenschaften von epitaktisch gewachsenen ScGaN-Schichten und deren Wechselwirkungen mit Gasmolekülen.



Hartung, Elias;
Referenzmessungen für die zeitaufgelöste in situ Photolumineszenz in einer photoelektrochemischen Zelle. - Ilmenau. - 99 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Bachelorarbeit 2023

In der vorliegenden Arbeit werden Referenzmessungen durchgeführt, um die Messmethode der in situ zeitaufgelösten Photolumineszenz (engl. Time-Resolved Photolumenescence, kurz: TRPL) in einer photoelektrochemischen Zelle (PEC Zelle) zu etablieren. Langfristig wird das Ziel verfolgt, Oberflächendegradation, bedingt durch die Oxidation bzw. Reduktion der Oberfläche während der Wasserspaltung in einer PEC Zelle, quantifizieren zu können. Hierzu werden in der TRPL übliche Doppelheterostrukturen (DHS) und in der Photoelektrochemie übliche Dreifach-Solarzellen in der PEC Umgebung gemessen. Um das Ablaufen der Wasserspaltung zu fördern, werden über die PEC Zelle Spannungen angelegt, schrittweise erhöht und wieder erniedrigt. Zu jeder Spannung wird eine TRPL Messung durchgeführt. Zeigen die Messdaten einen irreversiblen Anteil so kann dies auf Degradation hinweisen. Es gelingt mit der potentiostatisch unterstützen Verwendung der DHS als Photoelektrode in verschiedenen Elektrolyten keine kontrollierte Wasserspaltung. Die Messungen dazu zeigen keine Indizien für eine mögliche Oberflächendegradation. Beobachtete Zersetzung der Oberfläche einer Dreifach-Solarzelle ermöglicht die Verknüpfung der Degradation mit der Intensität des Signalpeaks. Weitere Messungen an Solarzellen zeigen keine messbare Degradation. Weiterhin wird eine Routine vorgestellt die zur Weiterentwicklung der Messmethode verwendet werden kann.



Meyer, Lorenz;
The Emergence of Magnetism in [5]-Aza-Triangulene. - Ilmenau. - 49 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Bachelorarbeit 2023

Es ist bekannt, dass Graphen-Triagulene aufgrund einer ungleichen Zahl an Atomen in beiden Untergitter einen magnetischen Grundzustand aufweisen. Die magnetischen Eigenschaften dieser Strukturen können durch die Größe des [n]-Triagulens oder durch Heteroatomsubstitution beinflusst werden. Dies macht sie besonders interresant für künftige spintronische Anwendungen und eröffnet den Weg hinzu organischen Spin-Logik-Bauelementen. Bislang scheint der Einfluss von Heteroatomen in größeren Triangulen (n>3) nicht geklärt zu sein. Diese Arbeit berichtet über die Bottom-up-Synthese von [5]-Aza-Triangulen mittels oberflächenunterstützter Cyclodehydrierung auf einer Au(111)-Oberfläche. Elektronische Transportmessungen, die mit einem Rastertunnelmikroskop durchgeführt wurden, enthüllen den magnetischen Grundzustands des Moleküls durch Phänomene nahe der Fermi-Energie. Darüber hinaus wird nicht nur der Einfluss von Heteroatomen, sondern auch von zusätzlichen Wasserstoffatomen, die den magnetischen Grundzustand entscheidend verändern können, beleuchtet. Mean-Field-Hubbard-Rechnungen bestätigen die Spinpolarisation und die elektronische Struktur der beobachteten Moleküle.



Bratek, Dominik;
Investigation of properties of the P-line with respect to the ASiSii-defect. - Ilmenau : Universitätsbibliothek. - 64 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Masterarbeit 2023

Eines der größten Probleme für dotiertes Silizium, zur Verwendung in Solarzellen, ist der sogenannte Effekt der lichtinduzierten Degradation. Diese Degradation ist von besonderer Bedeutung, da sie die absolute Effizienz einer Solarzelle um bis zu 2% verringern kann. Obwohl dieser Umstand bereits seit vier Jahrzehnten bekannt ist, gibt es weiterhin einen wissenschaftlichen Diskurs über die tatsächliche Defektstruktur für Bor, Indium und Gallium dotiertes Silizium. Verschiedene Modelle wurden vorgeschlagen, wie der Bor-Sauerstoff Defekt oder der ASiSii-Defekt. Weiterhin wurde gezeigt, dass eine Photolumineszenzlinie, die sogenannte P-Linie, eine Korrelation zu angewandter Beleuchtung oder Temperierung zeigt. Diese Arbeit widmet sich daher ausführlicher dieser Korrelation. Zusätzlich kann das ASiSii-Defektmodell weiter präzisiert werden, indem eine Energiebarriere, aus den Messungen berechnet, auf das Modell angewendet werden kann.



https://doi.org/10.22032/dbt.57567
Krieg, Leonie;
NMR-Untersuchungen der Dynamik von denaturiertem Gammaglobulin in deuterierter Lösung. - Ilmenau. - 81 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Masterarbeit 2023

Die Proteindynamik am Modell der Gammaglobuline wurde mit Hilfe der physikalischen Methoden der Kernspinresonanzspektroskopie untersucht. Dabei wurde der Einfluss der Proteindenaturierung mittels Zugabe von Urea und Änderung des pH-Werts der Lösung auf die Proteindynamik analysiert. Durch das Messen der Relaxationszeiten im Niederfeld-Spektrometer konnte die langsame Dynamik, das heißt die Gesamtbewegung des Proteins, beobachtet werden. Des Weiteren dienten Diffusionsmessungen im Hochfeld zur Bestimmung der Diffusionskoeffizienten der Proteine und Fast-Field-Cycling-Messungen zur Bestimmung der Korrelationszeiten der Proteine. Zusätzlich wurde durch die Zugabe des Radikals 4-Hydroxy-TEMPO versucht spezifische Bereiche des Proteins zu markieren und Informationen über die Dynamik dieser spezifischen Bereiche zu erhalten.



Wolfenstetter, Thomas;
Design eines X-Band DNP-Spektrometers in einem Halbach-Magnetarray. - Ilmenau. - 105 Seiten
Technische Universität Ilmenau, Masterarbeit 2023

Ein Spektrometer zur Messung der Magnetresonanz (NMR) von 1H-Kernen mithilfe der Signalverstärkung durch dynamische Kernpolarisation (DNP) im Frequenzbereich der Elektronen von 9.6 GHz (X-Band) wurde entworfen und konstruiert. Der Prototyp wurde mit mehreren Proben mit Dekan und dem Radikal TEMPO erfolgreich getestet. Die im Test erreichte Auflösung des DNP-Spektrums beträgt 2.8 MHz, theoretisch ist eine Auflösung von 1.7kHz möglich.