Sakalauskas, Egidijus; Schley, Pascal; Räthel, Jochen; Klar, Thomas; Müller, René; Pezoldt, Jörg; Tonisch, Katja; Grandal, J.; Sánchez-García, M. A.; Calleja, E.
Optical properties of InN grown on Si(111) substrate. - In: Physica status solidi. Applications and materials science. - Weinheim : Wiley-VCH, 2005- , ISSN: 1862-6319 , ZDB-ID: 1481091-8, ISSN 1862-6319, Bd. 207 (2010), 5, S. 1066-1069
http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200983102
Optical properties of InN grown on Si(111) substrate. - In: Physica status solidi. Applications and materials science. - Weinheim : Wiley-VCH, 2005- , ISSN: 1862-6319 , ZDB-ID: 1481091-8, ISSN 1862-6319, Bd. 207 (2010), 5, S. 1066-1069
http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200983102
Kharlamov, Vladimir S.; Kulikov, Dmitri V.; Trushin, Yuri V.; Nader, Richard; Mazri, Pierre; Stauden, Thomas; Pezoldt, Jörg
Investigation of Ge and C layer deposition on a Si substrate using SIMS profiling. - In: Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. - New York, NY : Allerton Press, 2007- , ISSN: 1934-9432 , ZDB-ID: 2403169-0, ISSN 1934-9432, Bd. 74 (2010), 2, S. 241-244
http://dx.doi.org/10.3103/S1062873810020292
Investigation of Ge and C layer deposition on a Si substrate using SIMS profiling. - In: Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. - New York, NY : Allerton Press, 2007- , ISSN: 1934-9432 , ZDB-ID: 2403169-0, ISSN 1934-9432, Bd. 74 (2010), 2, S. 241-244
http://dx.doi.org/10.3103/S1062873810020292
Hummel, Christian; Schwierz, Frank; Hanisch, Antonia; Pezoldt, Jörg
Ambient and temperature dependent electric properties of backgate graphene transistors. - In: Physica status solidi. Basic solid state physics. - Weinheim : Wiley-VCH, [1971]- , ISSN: 1521-3951 , ZDB-ID: 1481096-7, ISSN 1521-3951, Bd. 247 (2010), 4, S. 903-906
http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200982958
Ambient and temperature dependent electric properties of backgate graphene transistors. - In: Physica status solidi. Basic solid state physics. - Weinheim : Wiley-VCH, [1971]- , ISSN: 1521-3951 , ZDB-ID: 1481096-7, ISSN 1521-3951, Bd. 247 (2010), 4, S. 903-906
http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200982958
Pezoldt, Jörg; Stauden, Thomas; Niebelschütz, Florentina; Alsioufy, Mohamad Adnan; Nader, Richard; Masri, Pierre M.
Tuning residual stress in 3C-SiC(100) on Si(100). - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 159-162
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.159
Tuning residual stress in 3C-SiC(100) on Si(100). - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 159-162
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.159
Hofer, Manuel; Stauden, Thomas; Rangelow, Ivo W.; Pezoldt, Jörg
Nanostructuring techniques for 3C-SiC(100) NEMS structures. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 841-844
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.841
Nanostructuring techniques for 3C-SiC(100) NEMS structures. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 841-844
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.841
Niebelschütz, Florentina; Stauden, Thomas; Tonisch, Katja; Pezoldt, Jörg
Temperature facilitated ECR-etching for isotropic SiC structuring. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 849-852
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.849
Temperature facilitated ECR-etching for isotropic SiC structuring. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 849-852
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.849
Tonisch, Katja; Jatal, Wael; Granzner, Ralf; Kittler, Mario; Baumann, Uwe; Schwierz, Frank; Pezoldt, Jörg
2H-AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC(111)/Si(111) substrates. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 1219-1222
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1219
2H-AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC(111)/Si(111) substrates. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 1219-1222
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1219
Niebelschütz, Florentina; Zhao, Wei Hong; Brückner, Klemens; Tonisch, Katja; Linß, Matthias; Hein, Matthias A.; Pezoldt, Jörg
Property modification of 3C-SiC MEMS on Ge-modified Si(100) substrates. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 861-864
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.861
Property modification of 3C-SiC MEMS on Ge-modified Si(100) substrates. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 645/648 (2010), S. 861-864
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.861
Tonisch, Katja; Niebelschütz, Florentina; Brückner, Klemens; Buchheim, Carsten; Goldhahn, Rüdiger; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver; Hein, Matthias
Piezoelektrisch angeregte MEMS aus epitaktischen AlGaN/GaN-Heterostrukturen. - In: Thüringer Werkstofftag 2010, (2010), S. 85-90
Parallel als Druckausg. erschienen
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=15197
Piezoelektrisch angeregte MEMS aus epitaktischen AlGaN/GaN-Heterostrukturen. - In: Thüringer Werkstofftag 2010, (2010), S. 85-90
Parallel als Druckausg. erschienen
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=15197
Göckeritz, Robert; Koch, Roland; Himmerlich, Marcel; Endlich, Michael; Hummel, Christian; Alsioufy, Mohamad Adnan; Krischok, Stefan; Schäfer, Jürgen A.; Schwierz, Frank; Pezoldt, Jörg
Graphenprozessierung für Transistoren: materialanalytische Fragestellungen. - In: Thüringer Werkstofftag 2010, (2010), S. 91-98
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=15197
Graphenprozessierung für Transistoren: materialanalytische Fragestellungen. - In: Thüringer Werkstofftag 2010, (2010), S. 91-98
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