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Nanoscale multilayer WC/C coatings developed for nanopositioning: Part I. Microstructures and mechanical properties. - In: Thin solid films, ISSN 1879-2731, Bd. 488 (2005), 1, S. 132-139
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The influence of the optoelectronic properties of poly(3-alkylthiophenes) on the device parameters in flexible polymer solar cells. - In: Organic electronics, Bd. 6 (2005), 2, S. 65-77
http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2005.02.004
Augerelektronenspektroskopie und niederenergetischer Ionenbeschuss von Siliziumkarbid, 2005. - Online-Ressource (PDF-Datei: 147 S., 3620 KB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2005
Parallel als Druckausg. erschienen
Die vorliegende Arbeit behandelt den Einsatz der Augerelektronenspektroskopie bei der Untersuchung von SiC-Schichten und -Einkristallen mit besonderem Augenmerk auf die Wirkung des Ionenstrahls auf die SiC-Oberfläche beim Sputtern. Die Augerelektronenspektroskopie eignet sich zur Bestimmung vieler Eigenschaften einer SiC-Oberfläche nach dem Beschuss mit Edelgasionen. Der theoretische Teil beinhaltet einen Beitrag zur Anwendung der Faktorenanalyse bei der Auswertung von Auger-Spektren. Ein weiteres Thema des theoretischen Teils ist die Sputtertheorie. Hier wird eine Korrektur der Sigmundschen Formel zur Berechnung der Sputterausbeuten präsentiert. Im experimentellen Teil der Arbeit werden Aussagen über die Abweichungen der Oberflächenzusammensetzung nach dem Sputtern und über die Konzentration der eingebauten Edelgase getroffen. Aus dem Vergleich zwischen den experimentell gemessenen und theoretisch berechneten bzw. simulierten Werten der Sputterausbeuten wird die effektive Oberflächenbindungsenergie von 4 eV/Atom für das Sputtern von SiC mit Edelgasen bestimmt. Sowohl der Nachweis der Änderungen der elektronischen Struktur bei den durch Ionenbeschuss zerstörten einkristallinen SiC-Oberflächen bzw. -Schichten als auch die Bestimmung des Leitungstyps mittels Augerelektronenspektroskopie erweitern das Einsatzgebiet dieser analytischen Methode in der SiC-Technologie.
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=2966
Infrared gratings based on SiC/Si-heterostructures. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 433-436
Nucleation control in FLASIC assisted short time liquid phase epitaxy by melt modification. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 213-216
Low temperature chemical vapor deposition of 3C-SiC on Si substrates. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 201-204
Growth of 3C-(Si1-xC1-y)Gex+y layers on 4H-SiC by molecular beam epitaxy. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 173-176
Computer simulation of the early stages of nano scale SiC growth on Si. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 169-172
Study of pinholes and nanotubes in AlInGaN films by cathodoluminescence and atomic force microscopy. - In: Journal of applied physics, ISSN 1089-7550, Bd. 95 (2004), 10, S. 5305-5310
https://doi.org/10.1063/1.1690454