Isotropic etching of SiC. - In: Materials science forum, ISSN 1662-9752, Bd. 600/603 (2009), S. 651-654
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.651
Determination of the composition of In x Ga 1-x N from strain measurements. - In: Acta materialia, ISSN 1873-2453, Bd. 57 (2009), 19, S. 5681-5692
http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.2009.07.063
Graphene as FET channel material - what are the benefits?. - In: Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future, (2009), S. 223-224
Multifunktionale Nanoanalytik für eine Nanopositionier-und Messmaschine, 2009. - Online-Ressource (PDF-Datei: II, 113 Bl., 5,17 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2009
Enth. außerdem: Thesen
Der stetige Fortschritt der Herstellungsverfahrem von Nanoobjekten benötigt eine zeitgleiche Weiterentwicklung von Mess- und Analyseverfahren, die eine Qualitätssicherung und ein ungehindertes Vorstoßen in den Nanometerbereich zulassen bzw. unterstützen. Nur mithilfe geeigneter Werkzeuge und Analysetechniken können Objekte des Nanometerbereiches hergestellt, manipuliert, vermessen und visualisiert werden. Die von der Technischen Universität Ilmenau im Rahmen eines Sonderforschungsbereichs entwickelte Nanopositionier- und Nanomessmaschine (NPM-Maschine) mit einem Messvolumen von 25 × 25 × 5 mm3 stellt ein Werkzeug genau für diese Analyseaufgaben im nanoskaligen Bereich dar. In dieser Arbeit wird die Integration verschiedener Analysetechniken in die NPM-Maschine gezeigt, um ein möglichst breites Anwendungsspektrum dieser Maschine zu erreichen. Neben der Entwicklung und Analyse, der für die Positionierunsicherheit benötigten Referenzstrukturen, werden in dieser Arbeit auch Messverfahren auf AFM-Basis zur Integration in die NPM-Maschine untersucht. Verschiedenartige Nanomessverfahren, insbesondere verschiedenen Modi der AFM-Technik, die zur Bestätigung und zur Analyse der Ergebnisse benutzt wurden, werden vorgestellt, wobei der Schwerpunkt auf Verfahren liegt, die sich für eine Integration in die NPM-Maschine eignen. Hierbei werden verschiedene Modi der AFM-Technik vorgestellt, die dafür geeignet sind.Anhand von Beispielmessungen werden die folgenden AFM-Sondermodi vorgestellt: die Kelvinsonden-Kraftmikroskopie (KPFM), die Magnetkraftmikroskopie (MFM), die Piezoelektrische Kraftmikroskopie (PFM) und die Spektroskopie mit dem AFM. Auf die Notwendigkeit von Referenzstrukturen zur Referenzierung wird ebenso eingegangen wie auf die Herstellung solcher Strukturen.
http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=13772
Effect of annealing on the properties of indium-tin-oxynitride films as ohmic contacts for GaN-based optoelectronic devices. - In: ACS applied materials & interfaces, ISSN 1944-8252, Bd. 1 (2009), 7, S. 1451-1456
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Parameter identification of piezoelectric AlGaN/GaN beam resonators by dynamic measurements. - In: 10th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems, 2009, ISBN 978-1-4244-4161-7, (2009), insges. 4 S.
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Intrinsically limited mobility of the two-dimensional electron gas in gated AlGaN/GaN and AlGaN/AlN/GaN heterostructures. - In: Journal of applied physics, ISSN 1089-7550, Bd. 106 (2009), 2, 023715, insges. 5 S.
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Resonant piezoelectric ALGaN/GaN MEMS sensors in longitudinal mode operation. - In: IEEE 22nd International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, 2009, ISBN 978-1-4244-2977-6, (2009), S. 927-930
http://dx.doi.org/10.1109/MEMSYS.2009.4805536
Controlled localised melting in silicon by high dose germanium implantation and flash lamp annealing. - In: Nuclear instruments & methods in physics research. Beam interactions with materials and atoms. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1984- , ZDB-ID: 1466524-4, Bd. 267 (2009), 8/9, S. 1269-1272
http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2009.01.143
SiC polytype stability influenced by Ge impurities. - In: Silicon carbide and related materials 2007, (2009), S. 533-536