Publikationen

Tonisch, Katja;
AlGaN/GaN-Schichtsysteme für piezoelektrisch angeregte Resonatoren. - Ilmenau : Univ.-Verl. Ilmenau, 2010. - Online-Ressource (PDF-Datei: 192 S., 15,02 MB) : Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2009
Enth. außerdem: Thesen

Auf Grund der gestiegenen Anforderungen für mikroelektromechanische Systeme (MEMS) hinsichtlich Stabilität, Miniaturisier- und Integrierbarkeit, steigt das Interesse an neuen Materialsystemen wie den Halbleitern großer Bandlücke. Die vorliegende Arbeit gliedert sich in zwei Schwerpunkte, die für die Herstellung GaN-basierter MEMS bewältigt werden mussten: zum Einen wurde das Wachstum auf selektiv zu GaN ätzbaren Substraten untersucht. In der vorliegenden Arbeit werden drei Substrate vorgestellt, welche sowohl das epitaktische Wachstum von GaN als auch das Freistellen der Struktur erlauben. Dazu gehört die Verwendung von 4H-SiC als Substrat, welches sich kürzlich als isotrop ätzbar erwiesen hat. Als zweites wird das epitaktische GaN-Wachstum auf nanokristallinen, gesputterten AlN-Opferschichten gezeigt, welches die MEMS-Herstellung auf Saphir ermöglicht. Im letzten Fall erfolgt das Wachstum auf Siliziumsubstraten mit Hilfe einer 3C-SiC-Zwischenschicht. Die piezoelektrischen Eigenschaften von (GaN/)AlGaN/GaN-Heterostrukturen standen im zweiten Schwerpunkt im Fokus. Dabei dient die AlGaN-Schicht und in einigen Fällen eine zusätzliche GaN-Deckschicht als piezoelektrisch aktive Schicht. Das hochleitfähige 2D Elektronengas (2DEG) an der unteren AlGaN/GaN-Grenzfläche stellt dabei die zur Anregung benötige Rückelektrode zur Verfügung. Mit Hilfe der Elektroreflexion konnte die elektrische Feldverteilung in Abhängigkeit von der angelegten elektrischen Spannung bestimmt werden. In Kombination mit der Piezokraftmikroskopie, bei welcher die spannungsabhängige Auslenkung der Schichten untersucht wurde, konnte das piezoelektrische Modul d33 für Al0.31Ga0.69N zuverlässig mit 5 pm/V bestimmt werden. Die Prozessierung der ersten GaN-basierten MEMS wird schließlich auf allen drei zuvor eingeführten Substraten vorgestellt, das Schwingungsverhalten für die piezoelektrische Anregung von Transversalschwingungen mit Hilfe von Vibrometermessungen sowie das rein elektrische Auslesen von Longitudinalschwingungen (ebenfalls für piezoelektrische Anregung) demonstriert

http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=14917

Pezoldt, Jörg; Hummel, Christian; Hanisch, Antonia; Hotovy, Ivan; Kadlecikova, Magdalena; Schwierz, Frank
Top gated graphene transistors with different gate insulators. - In: Physica status solidi, ISSN 1610-1642, Bd. 7 (2010), 2, S. 390-393

https://doi.org/10.1002/pssc.200982440

Niebelschütz, Florentina; Brueckner, Klemens; Jatal, Wael; Tschumak, Elena; As, Donat Josef; Hein, Matthias A.; Pezoldt, Jörg
Resonant MEMS based on cubic GaN layers. - In: Physica status solidi. Current topics in solid state physics. - Berlin : Wiley-VCH, 2002-2017 , ISSN: 1610-1642 , ZDB-ID: 2102966-0, ISSN 1610-1642, Bd. 7 (2010), 1, S. 116-119

http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200982613

Cimalla, Volker; Lebedev, Vadim; Ambacher, Oliver; Polyakov, Vladimir M.; Schwierz, Frank; Niebelschütz, Merten; Ecke, Gernot; Myers, Thomas H.; Schaff, William J.
Transport properties of InN. - In: Indium nitride and related alloys, (2010), S. 139-179

Hotovy, Ivan; Predanocy, Martin; Hotovy, Juraj; Pezoldt, Jörg; Wilke, Marcus; Kups, Thomas; Kosc, Ivan; Rehacek, Vlastimil; Spieß, Lothar
Nanostructured indium oxide thin films deposited at room temperature. - In: Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future, (2009), insges. 4 S.

http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=14795