Zeitschriftenaufsätze und Buchbeiträge

Huran, Jozef; Zatko, B.; Hotovy, Ivan; Pezoldt, Jörg; Kobzev, A. P.; Balalykin, N. I.
PECVD silicon carbide deposited at different temperature. - In: Czechoslovak journal of physics, ISSN 1572-9486, Bd. 56.2006, Suppl. 2, S. B1207-B1211

http://dx.doi.org/10.1007/s10582-006-0351-8

Dziedzic, Andrzej; Kolek, Andrzej; Ehrhardt, Waleed; Thust, Heiko
Advanced electrical and stability characterization of untrimmed and variously trimmed thick-film and LTCC resistors. - In: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Bd. 46 (2006), 2/4, S. 352-359

http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.12.014

Dzur, Birger;
Das thermische, induktiv gekoppelte Hochfrequenzplasma: Grundlagen und Möglichkeiten einer außergewöhnlichen Technologie. - In: Jahrbuch Oberflächentechnik, ISSN 0075-2819, Bd. 62 (2006), S. 131-142

Das ICP ist eine relativ lange bekannte Technologie, deren Grundlagen, Eigenschaften und Potenziale seit etwa 20 Jahren zunehmend intensiv erforscht werden. Trotzdem hat sie den Sprung aus dem Labor bisher nur ansatzweise geschafft. Kommerziell erfolgreiche Anwendungen sind im Bereich der Pulversynthese und Modifikation bekannt. Bedeutsame Ergebnisse werden auch bei thermischen Beschichtungen mit dem ICP im Vakuum erzielt, nicht aber konnte es sich bisher als Verfahren des thermischen Beschichtens unter atmosphärischen Bedingungen etablieren. Das atmosphärisch betriebgene ICP kann gerade im bereich der oxidkeramischen Werkstoffe nicht nur als Alternative, sondern als Verfahren zur Herstellung qualitativ gleichwertiger, aber hinsichtlich der Eigenschaften neuer, verbesserter Schichten mit daraus ableitbaren, neuen Anwendungsfeldern, nicht nur eine Alternative, sondern auch eine wichtige Ergänzung des Spektrums der vorhandenen Techniken zum thermischen Beschichten sein. Dazu sollte das ICP durch weitere, praxisorientierte Studien, speziell auch unter atmosphärischen Betriebsbedingungen nicht nur weiter erforscht, sondern vor allem auch weiter bekannt gemacht werden, um es von seinem noch recht exotischem Image zu befreien.

Hermann, Martin; Furtmayr, Florian; Morales Sánchez, Francisco Miguel; Ambacher, Oliver; Stutzmann, Martin; Eickhoff, Martin
Impact of silicon incorporation on the formation of structural defects in AlN. - In: Journal of applied physics, ISSN 1089-7550, Bd. 100 (2006), 11, 113531, insges. 9 S.

https://doi.org/10.1063/1.2363239

Tonisch, Katja; Cimalla, Volker; Förster, Christian; Romanus, Henry; Ambacher, Oliver; Dontsov, Denis
Piezoelectric properties of polycrystalline AlN thin films for MEMS application. - In: Sensors and actuators. Physical. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier Science, 1990- , ISSN: 1873-3069 , ZDB-ID: 1500729-7, ISSN 1873-3069, Bd. 132 (2006), 2, S. 658-663

http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2006.03.001