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Erstellt: Sun, 30 Jun 2024 21:08:30 +0200 in 0.0884 sec


Nakhlah, Rami;
Vermessung der Lebensdauer von Minoritätsladungsträger an Solarzellenstrukturen mittels zeit- und ortsaufgelöster Photolumineszenz. - 55 S. Ilmenau : Techn. Univ., Masterarbeit, 2014

Photolumineszenz-Messungen erlauben die Bewertung der optoelektronischen Eigenschaften unterschiedlicher Halbleiter, die in Solarzellen Verwendung finden. Insbesondere eignet sich die Methode der zeitaufgelösten Photolumineszenz (engl. Time-Resolved Photoluminescence TRPL), um die Minoritätsladungsträger-Lebensdauern von unter anderen III-V Verbindungshalbleitern zu bestimmen und somit die Rekombinationseigenschaften zu evaluieren. In dieser Arbeit wurde der TRPL Messplatz entscheidend verbessert, um nicht nur die ortsaufgelöste Vermessung von planaren Solarzellstrukturen, sondern auch Ladungsträger-Lebensdauern in Nanodrähten für die Photovoltaik zu untersuchen. Dazu wurde die Ortsauflösung der Apparatur bis nahe an das Beugungslimit verbessert und eine Zeitauflösung im ps Bereich erreicht. Der modifizierte Aufbau ermöglicht die Untersuchung der Rekombinationseigenschaften an unterschiedlich präparierten Nanodrahtstrukturen mit geringen Ladungsträger-Lebensdauern.



Linkmann, Jakob;
Atomare Fehlstellen in Graphen auf Iridium(111). - 77 S. : Ilmenau, Techn. Univ., Bachelor-Arbeit, 2014

Die Untersuchung der Wechselwirkung von Graphen mit seiner lokalen Umgebung ist wichtig, um es als wegweisendes Material in der Elektronik der Zukunft gezielt einsetzten zu können. Deshalb wurde in der vorliegenden Arbeit auf das Substrat Iridium(111) eine Graphen-Monolage aufgebracht, um in dieser ein-atomare Kohlenstoff-Fehlstellen zu erzeugen und näher zu untersuchen. Mit Hilfe eines Rastertunnelmikroskops wurden die Monovakanzen im Graphen sowohl topographisch als auch spektroskopisch näher betrachtet. Topographische Aufnahmen der ein-atomaren Fehlstellen zeigen häufig eine dreieckige Form; die Fehlstellen im Graphen sind zudem im Messmodus konstanten Tunnelstroms oft von einer regelmäßig erscheinenden Struktur umgeben. Spektroskopische Untersuchungen weisen darauf hin, dass die elektronische Zustandsdichte der lokalen Oberfläche an ein-atomaren Fehlstellen nicht signifikant von der elektronischen Struktur des intakten Graphens abweicht; insbesondere wurde an den ein-atomaren Fehlstellen gegenüber dem intakten Graphen kein erhöhter Einfluss durch das Metall-Substrat Iridium(111) beobachtet.



Müller, Philipp;
Beschreibung des Einflusses des Substrats in DFT Berechnungen durch reduzierte Superzellen am Beispiel von Graphen auf Iridium(111). - 116 S. Ilmenau : Techn. Univ., Masterarbeit, 2014

Gegenstand dieser Arbeit ist die Modellierung der Moiré-Struktur von Graphen auf Iridium(111) durch künstlich verkleinerte Superzellen mit Hilfe der Dichtefunktionaltheorie (DFT). Das Graphen-Iridium-System weist eine Superzelle von 25,1 Å x 25,1 Å auf, die somit mehrere hundert Atome enthält. Weil DFT-Berechnungen der experimentell beobachteten Struktur nur noch mit Hochleistungscomputern möglich sind, gibt es in der Literatur nur wenige theoretische Untersuchungen, welche den Einfluss des Substrats auf die entstandene Überstruktur berücksichtigen. Das Substrat ist jedoch gerade bei Defekten, wie Monovakanzen und einzelnen Adatomen, äußerst wichtig, da diese nach substratfreien Berechnungen unkoordinierte Bindungen und somit lokale magnetische Momente besitzen sollen. Durch das Einführen des Substrats als möglichen Bindungspartner könnte dieses Verhalten jedoch fundamental geändert werden. Zur Modellierung einer solchen Überstruktur wird durch das Anpassen der Gitterkonstante des Substrats eine künstlich verkleinerte Superzelle geschaffen, die weniger Atome enthält und besser berechenbar ist. Da diese reduzierten Superzellen ebenfalls eine chemische Modulation der Graphenschicht durch das Substrat aufweisen, sollten sie eine gute Näherung für die im Experiment auftretenden physikalischen Effekte darstellen. Die berechneten Systeme werden abhängig vom Gleichgewichtsabstand der Graphenlage und des Iridiums in stark und schwach interagierende System unterteilt. Diese besitzen jeweils einen charakteristischen Abstand beider Materialien und eine typische Wellung des Graphens. Durch die verschieden stark interagierenden Systeme kann ein Großteil der experimentell bestimmten Eigenschaften der Moiré-Struktur reproduziert werden. Die Untersuchung von Vakanzen in physisorbierten Systemen liefert Rekonstruktionen vergleichbar mit der einer Vakanzen im freien Graphen. In den chemisorbierten Systemen werden dagegen, anhängig von der Position der jeweiligen Vakanz, drei verschiedene geometrische Rekonstruktion und daraus resultierende elektronische Strukturen gefunden. Mit deren Hilfe kann sowohl die Geometrie als auch die räumliche Verteilung der experimentell beobachteten Vakanzen erklärt werden. Für Adatome werden bereits vorliegende Ergebnisse aus der Adsorption von Metallclustern bzw. Molekülen auf Graphen auf Iridium(111) reproduziert.



Tries, Alexander;
Charakterisierung und Optimierung eines optischen Sensors zur Messung urämischer Toxine in der Dialyse. - 97 S. Ilmenau : Techn. Univ., Bachelor-Arbeit, 2014

Zur Messung der Dialysedosis Kt/V wird von der B. Braun Avitum AG ein optischer Sensor eingesetzt, der auf dem Prinzip der UV/Vis-Spektroskopie basiert und den Gehalt an kleinen urämischen Toxinen in der verbrauchten Dialyseflüssigkeit misst. Im Rahmen neuer Anwendungsmöglichkeiten ist es nötig, das Serienmodell durch eine verbesserte Version zu ersetzen. In dieser Arbeit wurde der neue Sensor in Bezug auf gewisse Performancekriterien charakterisiert und mit dem Serienmodell verglichen. Es konnte gezeigt werden, dass der neue Sensor im Rahmen der in dieser Arbeit durchgeführten Tests vollständig rückwärtskompatibel zum Serienmodell ist. Weiterhin hat sich herausgestellt, dass sich der lineare Bereich des Sensors im Vergleich zum Serienmodell ungefähr verdoppelt hat. Als Ursache des nichtlinearen Verhaltens des Sensors für höhere Konzentrationen konnte der sogenannte Polychromatic Radiation Effect identifiziert werden. Dieser wird durch die Verwendung einer nicht monochromatischen Lichtquelle verursacht. Im Ausblick dieser Arbeit wurden Verbesserungsvorschläge erarbeitet, um den linearen Bereich des Sensors zu erhöhen.



Vogt, Dominik;
Characterization of novel helical Terahertz waveguides: an experimental and numerical study. - 97 S. : Ilmenau, Techn. Univ., Masterarbeit, 2014

Wir beobachten experimentell die monomodale Übertragung von breitbandigen Terahertz-Pulsen in neuartigen flexiblen helikalen Wellenleitern. Die Messungen wurden mit zeitaufgelöster Terahertz-Spektroskopie durchgeführt und stimmen sehr gut überein mit unseren Finite-Differenzen Simulationen im Zeitbereich. Im Frequenzband von 0.4 THz bis 0.9 THz zeigen die Wellenleiter für Innendurchmesser von 4 mm und 5 mm jeweils einen konstanten Abschwächungskoeffizienten von 0.11 cm-1 und 0.17 cm-1. Die gemessenen Zeitsignale weisen darauf hin, dass der THz-Puls im Zentrum des helikalen Wellenleiters geführt wird. Dies wird quantitativ durch die gemessenen Brechungsindizes für die Phase bestätigt, deren Wert sehr nahe bei Eins liegt. Im Bereich von 0.4 THz bis 0.9 THz wurde eine nahezu vernachlässigbare Dispersion für die gemessenen helikalen Wellenleiter beobachtet. Zusätzlich hat sich gezeigt, dass im Frequenzbereich von 0.4 THz bis 0.9 THz die Eigenschaften der helikalen Wellenleiter unabhängig von der Steigung sind, vorausgesetzt die Steigung ist größer als der Drahtdurchmesser.



Baumbach, Nico;
Building and testing a carbon monoxide laser for metal cutting application. - 92 S. Ilmenau : Techn. Univ., Masterarbeit, 2014

Ziel dieses Projekts war es einen CO Laser zu bauen, der auf Wellenlängen zwischen 5 und 6 [my]m arbeitet, eine hohe Strahlqualität aufweist und eine Leistung von ca. 1 kW erreicht. Nach dem Aufbau, der Optimierung und des Tests dieses koaxialen Lasers wurden Schmelzschneidversuche durchgeführt. Um zu überprüfen ob dieser Laser die Vorteile des CO2 und des Scheibenlasers vereint, wurden diese Tests unter gleichen Bedingungen an Edelstahl durchgeführt. Nach Optimierung des Lasers wurde eine Leistung von 860 W bei einer Strahlqualität von K = 0,84 im Labor erreicht. Das Spektrum wies dabei Wellenlängen zwischen 5,35 und 5,9 [my]m bei einem gewichteten Mittelwert von 5,5 [my]m auf. Die Montage des Lasers auf die TRULaser 1030 Maschine verringerte die Strahlqualität auf einen Wert von K = 0,57 auf Grund von "thermal blooming" in der Strahlführung. Die Leistung stieg durch eine bessere Wasserkühlung auf 1100 W. Die Schneidversuche zeigten hohe Schnittgeschwindigkeiten des CO Lasers, die nur geringfügig unter denen des Scheibenlasers liegen. Dies ist zum einen begründet durch die unterschiedliche Wellenlänge mit der eine andere Absorption einhergeht. Zum anderen sind die hohen Schnittgeschwindigkeiten durch einen sehr kleinen Fokusdurchmesser erklärbar. Die Messungen der Oberflächenrauheit bestätigten den subjektiven Eindruck der hohen Schnittqualität des CO Lasers die nahezu an die des CO2 Laser heranreicht. Alle Ziele des Projekts wurden erreicht und wertvolle Erkenntnisse konnten gezogen werden. Dieses Wissen kann nun genutzt werden um potentielle Anwendungsgebiete dieses Lasers zu erschließen, da das industrielle Laserschneiden auf Grund der auftretenden Herausforderungen nicht optimal scheint. Weiterhin zeigen die Daten den Einfluss der Wellenlänge auf die Schnittgeschwindigkeit und die Schnittqualität und lassen somit Rückschlüsse zu, welche Ergebnisse bei Projekten mit anderen Wellenlängen zu erwarten sind und ob diese ökonomisch sinnvoll sind.



Koch, Alexander;
Herstellung sowie Charakterisierung von ZnO:Al-Schichten in Anwendung auf III-V Halbleiterstrukturen. - 116 S. Ilmenau : Techn. Univ., Masterarbeit, 2014

Undotierte sowie aluminiumdotierte Zinkoxid-Schichten (ZnO und ZnO:Al) wurden mit einer Rezeptstruktur nach dem Vorbild der Atomlagenabscheidung (ALD) in einer Anlage für metallorganische Gasphasenprozesse (MOCVD) auf Glas- und Saphirproben hergestellt. Die strukturellen, stöchiometrischen, optischen und elektrischen Eigenschaften der Schichten wurden in Abhängigkeit zum Aluminiumgehalt von 0 at.% bis 5 at.%, zur ALD-Superkreisanzahl von 10 bis 40 und zur Wachstumstemperatur von 200 ˚C bis 225 ˚C untersucht. Zur Abschätzung der Qualität und Zweckmäßigkeit des neuartigen Wachstumprozesses der Schichten erfolgte ein umfassender Vergleich mit etablierten Herstellungsverfahren. Für einen Aluminiumgehalt von 2% und einer Wachstumstemperatur von 225 ˚C ergaben sich die besten Eigenschaften für eine optoelektronische Anwendung der selbst gewachsenen ZnO:Al-Schichten mit einem spezifischen Widerstand von 1,6*10E-3 [Omega]cm, einer effektiven Nettodotierung von 2,6*10E20 cm -3 einer Mobilität von 15,2 cm^2 /Vs und einer Transmission über 80%. Die Beschichtung von dreidimensionalen III-V Halbleiterstrukturen mit ZnO:Al als Frontkontakt stand ebenfalls im Fokus dieser Arbeit. Die Untersuchung des dreidimensionalen Schichtwachstums mit einem Hinterschnittexperiment zeigte eine porenfreie und homogene Benetzung der gesamten strukturierten Oberfläche sowie eine Winkeltreue der ZnO:Al-Schichten von 0,74. Weitere Abscheidungen auf schwarzem Silizium und auf Nanodrähten aus Galliumarsenid weisen in den Bildern der Rasterelektronenmikroskopie ein erfolgreiches dreidimensionales Wachstum auf, was die Nutzung der ZnO:Al-Schichten als Frontkontakt bestätigt.



Günz, Christian;
Temperature dependence of Kohn anomalies on single-crystalline graphite. - 71 S. : Ilmenau, Techn. Univ., Masterarbeit, 2014

Die Elektron-Phonon-Kopplung in sp2-hybridisierten Kohlenstoffmodifikationen ist vor der möglichen Anwendung von Graphen in einer neuen Generation von schnelleren Transistoren stark in den Fokus aktueller Forschung geraten. In der vorliegenden Arbeit wurden die Kohn-Anomalien von einkristallinem Graphit mittels hochauflösender Elektronenenergieverlustspektroskopie bei verschiedenen Temperaturen vermessen. Aus der Steigung der Dispersionskurven in der Nähe des Gamma - und K-Punktes der Oberflächen-Brillouinzone wurden die Elektron-Phonon-Kopplungskonstanten zu (41.1 ± 10.3) (eV/Å)^2 bzw. (96.0 ± 25.6) (eV/Å)^2 bestimmt. Während das longitudinal optische Phonon um den Gamma-Punkt keine auflösbare Veränderung seiner Energie bei Temperaturvariation zeigte, ist das transversal optische Phonon am K-Punkt bei einer Temperatur von 130 K im Vergleich zu Raumtemperaturmessungen um 1.8 meV abgesenkt. Weiterhin wird in dieser Arbeit das erste Mal die Entartung der sekrecht zur Oberfläche schwingenden Phononenmoden um den K-Punkt präsentiert.



Pelikan, Ingemar;
Untersuchung des Einflusses von Scherung auf die transversale Relaxationszeit mit einer NMR-Mouse. - 50 S. Ilmenau : Techn. Univ., Bachelor-Arbeit, 2014

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Zusammenwirken der Rheologie und der magnetischen Kernresonanz (NMR), das oftmals als Rheo-NMR bezeichnet wird. Es wurden die transversale Protonenrelaxation für Lösungen von Polyacrylamid (PAA) und Ketchup mit einer Fequenz von 11,7 MHz gemessen. Hierbei konnte ein Einfluss von Scheerung auf die Relaxation beobachtet werden. Die NMR wird anhand eines Vektormodells beschrieben und die Grundzüge der Rheologie werden behandelt. Die Ergebnisse der Messungen werden dargestellt und diskutiert. Es wurden T2-Messungen für verschiedene PAA-Lösungen in schwerem Wasser, sowie für verschiedener Ketchup-Proben, in Abhängigkeit der Scherrate durchgeführt.



Hagedorn, Benjamin;
Kapazitäts-Spannungs-Methode zur Charakterisierung von Grenzflächen zwischen Silizium und Passivierschichtsystemen. - 86 S. Ilmenau : Techn. Univ., Masterarbeit, 2014

Untersuchungen der Grenzflächen zwischen Silizium und Passivierschichtsystemen durch die Kapazitäts-Spannungs-Messmethode (CV-Methode) unter Zuhilfenahme der konstanten-Spannungs-Stress-Methode (CVS-Methode) sind zum Verständnis der physikalischen, strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Halbleiterbauelementen notwendig. Als Modelsystem für hocheffiziente Halbleiterbauelemente fungiert hierbei ein Stapelschichtsystem aus PECVD-abgeschiedenen Siliziumnitrid (a-SiNx:H) und Aluminiumoxid (a-AlOx) sowie einem nasschemisch hergestelltes Siliziumoxid (a-SiOx). Jede der enthaltenen Passivierschichten aus diesem System wird separat in eine MIS-Struktur integriert und hinsichtlich ihrer dielektrischen Eigenschaften und Passiviereigenschaften untersucht. Die Ergebnisse der Einzelschichtuntersuchungen werden mit denen des Stapelschichtsystems bezüglich der festen Oxidladung QF, der gefangenen Oxidladungen Qot und der Grenzflächendefektdichte Dit verglichen. Weiterhin werden Siliziumnitrid, Aluminiumoxid und das Stapelschichtsystem bezüglich Ladungs- und Defektveränderungen durch elektrische Belastungen untersucht.