Pezoldt, Jörg; Kalnin, Andrei A.; Moskwina, D. R.; Savelyev, W. D.
Polytype transitions in ion implanted silicon carbide. - In: Nuclear instruments & methods in physics research. Beam interactions with materials and atoms. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1984- , ZDB-ID: 1466524-4, Bd. 80/81 (1993), 2, S. 943-948
http://dx.doi.org/10.1016/0168-583X(93)90714-H
Polytype transitions in ion implanted silicon carbide. - In: Nuclear instruments & methods in physics research. Beam interactions with materials and atoms. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1984- , ZDB-ID: 1466524-4, Bd. 80/81 (1993), 2, S. 943-948
http://dx.doi.org/10.1016/0168-583X(93)90714-H
Pezoldt, Jörg; Kalnin, Andrei A.; Savelyev, W. D.
Application of nonequilibrium phase transition to heteropolytype structure creation. - In: Nuclear instruments & methods in physics research. Beam interactions with materials and atoms. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1984- , ZDB-ID: 1466524-4, Bd. 65 (1992), 1/4, S. 361-365
http://dx.doi.org/10.1016/0168-583X(92)95067-2
Application of nonequilibrium phase transition to heteropolytype structure creation. - In: Nuclear instruments & methods in physics research. Beam interactions with materials and atoms. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1984- , ZDB-ID: 1466524-4, Bd. 65 (1992), 1/4, S. 361-365
http://dx.doi.org/10.1016/0168-583X(92)95067-2
Festic, Vladimir; Kocanda, Jozef; Vesely, Marian; Gunst, Ullrich; Müller, Bernhard
Gating technique on SIMS depth profiling - dynamic range of Ga implanted Si. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 485-490
Gating technique on SIMS depth profiling - dynamic range of Ga implanted Si. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 485-490
Ullrich, Klaus; Zöllner, Jens-Peter; Pezoldt, Jörg; Eichhorn, Gerd; Patzschke, Ingo
Berechnung der Temperaturverteilung auf dem Si-Wafer während Kurzzeittemperprozessen. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 446-451
Berechnung der Temperaturverteilung auf dem Si-Wafer während Kurzzeittemperprozessen. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 446-451
Räbiger, Torsten; Pezoldt, Jörg; Torber, Karsten; Zöllner, Jens-Peter; Ullrich, Klaus; Eichhorn, Gerd
Einfluß der Gasströmung auf die Temperaturverteilung des Wafers bei RTP-Prozessen. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 440-445
Einfluß der Gasströmung auf die Temperaturverteilung des Wafers bei RTP-Prozessen. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 440-445
Müller, Bernhard; Gunst, Ullrich; Schlegel, St.
SIMS-Vergleichsmessungen zur Tiefenprofilierung und Sekundärionenausbeute. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 434-439
SIMS-Vergleichsmessungen zur Tiefenprofilierung und Sekundärionenausbeute. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 434-439
Zöllner, Jens-Peter; Ullrich, Klaus
Simulationen zu einem rotationssymmetrischen RTP-Reaktor. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 429-433
Simulationen zu einem rotationssymmetrischen RTP-Reaktor. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 429-433
Pezoldt, Jörg;
Polytype Phasenübergänge während der plastischen Deformation von SiC. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 424-428
Polytype Phasenübergänge während der plastischen Deformation von SiC. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 424-428
Garg, U.; Rößler, Hans; Procop, Mathias
Bestimmung von Elementtiefenverteilungen im nm-Bereich mittels zerstörungsfreier Analysemethoden. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 419-423
Bestimmung von Elementtiefenverteilungen im nm-Bereich mittels zerstörungsfreier Analysemethoden. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 419-423
Kupris, Gerald; Rößler, Hans
Untersuchungen zur Durchmischungszone beim Ionenstrahlsputtern dünner Schichten. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 194-197
Untersuchungen zur Durchmischungszone beim Ionenstrahlsputtern dünner Schichten. - In: Vortragsreihen Mikroelektronik und Schaltungstechnik, Kommunikations- und Meßtechnik, (1992), S. 194-197