Förster, Christian; Ambacher, Oliver; Pezoldt, Jörg
Etching of SiC with fluorine ECR plasma. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Etching of SiC with fluorine ECR plasma. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Weih, Petia; Kosiba, Rastislav; Gubisch, Maik; Freitag, Th.; Pezoldt, Jörg; Ambacher, Oliver
Molekularstrahlepitaxie von SiC:Ge Mischkristallen. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Molekularstrahlepitaxie von SiC:Ge Mischkristallen. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Pezoldt, Jörg;
Polytype transitions in wide band gap materials: bane or benefit. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Polytype transitions in wide band gap materials: bane or benefit. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Kosiba, Rastislav; Ecke, Gernot; Krischok, Stefan; Lebedev, Vadim; Ambacher, Oliver
AES Untersuchungen an Gruppe-III-Nitriden. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
AES Untersuchungen an Gruppe-III-Nitriden. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Cimalla, Volker; Förster, Christian; Cimalla, Irina; Kosiba, Rastislav; Ecke, Gernot; Schaff, William; Lu, Hai; Goldhahn, Rüdiger; Shokhovets, Sviatoslav; Georgakilas, Alexandros
InN - ein Halbleiter mit weitem oder niedrigem Bandabstand?. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
InN - ein Halbleiter mit weitem oder niedrigem Bandabstand?. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Cimalla, Irina; Lebedev, Vadim; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver
Investigation of the absorption behavior of thin layers of group III-nitrides by PDS and SRP. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Investigation of the absorption behavior of thin layers of group III-nitrides by PDS and SRP. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Winzer, Andreas T.; Goldhahn, Rüdiger; Buchheim, Carsten; Gobsch, Gerhard; Ambacher, Oliver; Link, Angela; Eickhoff, Martin; Stutzmann, Martin
Photoreflectance studies of Ga- and N-face AIGaN/GaN heterostructures confining a polarization induced 2DEG. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Photoreflectance studies of Ga- and N-face AIGaN/GaN heterostructures confining a polarization induced 2DEG. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Ecke, Gernot; Schulz, Oliver; Kosiba, Rastislav; Hermann, Martin; Eickhoff, Martin; Ambacher, Oliver
AES-Tiefenprofilierung von Resonanztunneldioden aus AIGaN/AIN/GaN-Heterostrukturen. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
AES-Tiefenprofilierung von Resonanztunneldioden aus AIGaN/AIN/GaN-Heterostrukturen. - In: Proceedings and our portrait, (2003), insges. 2 S.
Scheinert, Susanne; Schliefke, Willy
Analyzes of field effect devices based on poly(3-octylthiophene). - In: Synthetic metals, Bd. 139 (2003), 2, S. 501-509
http://dx.doi.org/10.1016/S0379-6779(03)00205-4
Analyzes of field effect devices based on poly(3-octylthiophene). - In: Synthetic metals, Bd. 139 (2003), 2, S. 501-509
http://dx.doi.org/10.1016/S0379-6779(03)00205-4
Nebel, Christoph E.; Miskys, Claudio R.; Garrido, Jose A.; Hermann, Martin; Ambacher, Oliver; Eickhoff, Martin; Stutzmann, Martin
AlN/Diamond np-junctions. - In: Diamond and related materials, ISSN 0925-9635, Bd. 12 (2003), 10/11, S. 1873-1876
http://dx.doi.org/10.1016/S0925-9635(03)00313-3
AlN/Diamond np-junctions. - In: Diamond and related materials, ISSN 0925-9635, Bd. 12 (2003), 10/11, S. 1873-1876
http://dx.doi.org/10.1016/S0925-9635(03)00313-3