Kallenbach, Matthias;
Bartsch, Heike; Albrecht, Arne; Botiov, Julian; Hintz, Michael
Mikroprägen als Strukturierungsverfahren für LTC-Keramik. - In: Mikrosystemtechnik Kongress 2005, (2005), S. 535-538
Mikroprägen als Strukturierungsverfahren für LTC-Keramik. - In: Mikrosystemtechnik Kongress 2005, (2005), S. 535-538
Hülsenberg, Dagmar; Halbedel, Bernd; Krieger, Uwe; Schröpfer, Dirk; Thess, André; Lüdtke, Ulrich
Elektromagnetische Modifizierung von Strömungen in Schmelzen. - In: Workshop Elektroprozesstechnik - Behandlung von Werkstoffen im Elektromagnetischen Feld, (2005), 10, S. 1-8
Elektromagnetische Modifizierung von Strömungen in Schmelzen. - In: Workshop Elektroprozesstechnik - Behandlung von Werkstoffen im Elektromagnetischen Feld, (2005), 10, S. 1-8
Mit Hilfe experimenteller Untersuchungen und numerischen Simulationen konnte eine Veränderung der Strömungsverhältnisse durch die Wirkung von künstlichen Lorentzkräften nachgewiesen werden. Die Generierung von künstlichen Lorentzkräften erfolgt durch das Einprägen einer elektrischen Stromdichte und eines magnetischen Wechselfeldes bei gleicher Frequenz (50Hz) in die Glasschmelze. Die experimentellen Ergebnisse tragen in Verbindung mit numerischen Simulationen zum Verständnis der physikalischen Grundlagen des elektromagnetischen Rührens und damit zur Erforschung der Wirkungskette: Elektromagnetisches Feld Strömungsfeld Werkstoffeigenschaften bei.
Weih, Petia; Stauden, Thomas; Ecke, Gernot; Shokhovets, Sviatoslav; Zgheib, Charbel; Voelskow, Matthias; Skorupa, Wolfgang; Ambacher, Oliver; Pezoldt, Jörg
Ion beam synthesis of 3C-(Si 1-x C 1-y ) Ge x+y solid solution. - In: Physica status solidi, ISSN 1862-6319, Bd. 202 (2005), 4, S. 545-549
http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200460418
Ion beam synthesis of 3C-(Si 1-x C 1-y ) Ge x+y solid solution. - In: Physica status solidi, ISSN 1862-6319, Bd. 202 (2005), 4, S. 545-549
http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200460418
Kharlamov, Vladimir S.; Lubov, Maxim N.; Pezoldt, Jörg; Trushin, Yuri V.; Zhurkin, Evgeni E.
Molecular dynamics study of diffusion barriers of Si and C adatoms on Si surfaces. - In: Eighth International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering, (2005), S. 51-55
Molecular dynamics study of diffusion barriers of Si and C adatoms on Si surfaces. - In: Eighth International Workshop on Nondestructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering, (2005), S. 51-55
Rockstuhl, Carsten; Herzig, H. P.; Förster, Christian; Leycuras, A.; Ambacher, Oliver; Pezoldt, Jörg
Infrared gratings based on SiC/Si-heterostructures. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 433-436
Infrared gratings based on SiC/Si-heterostructures. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 433-436
Pezoldt, Jörg; Polychroniadis, E.; Stauden, Thomas; Ecke, Gernot; Chassagne, T.; Vennegues, P.; Leycuras, A.; Panknin, D.; Stoemenos, J.; Skorupa, Wolfgang
Nucleation control in FLASIC assisted short time liquid phase epitaxy by melt modification. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 213-216
Nucleation control in FLASIC assisted short time liquid phase epitaxy by melt modification. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 213-216
Förster, Christian; Cimalla, Volker; Ambacher, Oliver; Pezoldt, Jörg
Low temperature chemical vapor deposition of 3C-SiC on Si substrates. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 201-204
Low temperature chemical vapor deposition of 3C-SiC on Si substrates. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 201-204
Weih, Petia; Romanus, Henry; Stauden, Thomas; Spieß, Lothar; Ambacher, Oliver; Pezoldt, Jörg
Growth of 3C-(Si1-xC1-y)Gex+y layers on 4H-SiC by molecular beam epitaxy. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 173-176
Growth of 3C-(Si1-xC1-y)Gex+y layers on 4H-SiC by molecular beam epitaxy. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 173-176
Safonov, K. L.; Trushin, Yuri V.; Ambacher, Oliver; Pezoldt, Jörg
Computer simulation of the early stages of nano scale SiC growth on Si. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 169-172
Computer simulation of the early stages of nano scale SiC growth on Si. - In: Silicon carbide and related materials 2004, (2005), S. 169-172
Hotovy, Ivan; Kremmer, J.; Huran, Jozef; Siciliano, Pietro; Capone, Simonetta; Spieß, Lothar
Characterization and gas sensing properties of NiO thin films. - In: Sensors and microsystems, (2004), S. 185-190
Characterization and gas sensing properties of NiO thin films. - In: Sensors and microsystems, (2004), S. 185-190