Schäfer, Jürgen A.; Balster, Torsten; Polyakov, Vladimir M.; Rossow, Uwe; Sloboshanin, Sergej; Starke, Ulrich; Tautz, Frank Stefan
Hydrogen on semiconductor surfaces. - In: Hydrogen in semiconductors and metals, (1998), S. 3-15
Hydrogen on semiconductor surfaces. - In: Hydrogen in semiconductors and metals, (1998), S. 3-15
Polyakov, Vladimir M.; Tautz, Frank Stefan; Sloboshanin, Sergej; Schäfer, Jürgen A.; Usikov, A. S.; Ber, B. Ja.
Surface plasmons at MOCVD-grown GaN(0 0 0 1). - In: Semiconductor science and technology, ISSN 1361-6641, Bd. 13 (1998), 12, S. 1396-1400
http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/011
Surface plasmons at MOCVD-grown GaN(0 0 0 1). - In: Semiconductor science and technology, ISSN 1361-6641, Bd. 13 (1998), 12, S. 1396-1400
http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/011
Cimalla, Volker; Samlenski, R.; Wöhner, Thomas; Schäfer, Jürgen A.
Kohlenstoffnitrid-Synthese durch Nitridierung von Graphitschichten. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Kohlenstoffnitrid-Synthese durch Nitridierung von Graphitschichten. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Tautz, Frank Stefan; Sloboshanin, Sergej; Hohenecker, S.; Zahn, Dietrich R. T.; Schäfer, Jürgen A.
Initial stages of the reaction of the c(2 x 2) reconstructed SiC(1 0 0) surfaces with atomic hydrogen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Initial stages of the reaction of the c(2 x 2) reconstructed SiC(1 0 0) surfaces with atomic hydrogen. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Sloboshanin, Sergej; Gebhardt, K.; Schäfer, Jürgen A.; Chassé, T.
H 2 S passivation of InP (0 0 1) surfaces. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 7 S.
H 2 S passivation of InP (0 0 1) surfaces. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 7 S.
Polyakov, Vladimir M.; Balster, Torsten; Ibach, Harald; Schäfer, Jürgen A.
Surface-states-derived electronic transitions of SiC(0 0 1). - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 7 S.
Surface-states-derived electronic transitions of SiC(0 0 1). - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 7 S.
Scherge, Matthias; Schäfer, Jürgen A.
Tribological micro-characterization. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Tribological micro-characterization. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Nakov, Valentin; Gobsch, Gerhard; Goldhahn, Rüdiger
Modellierung elektronischer und optischer Eigenschaften von Quantum-Well-Strukturen auf der Basis von Gruppe III-Nitriden. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Modellierung elektronischer und optischer Eigenschaften von Quantum-Well-Strukturen auf der Basis von Gruppe III-Nitriden. - In: 43. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium, (1998), insges. 6 S.
Cimalla, Volker; Scheiner, Jörg; Ecke, Gernot; Friedrich, M.; Goldhahn, Rüdiger; Zahn, Dietrich R. T.; Pezoldt, Jörg
The measurement of the thickness of thin SiC layers on silicon. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 641-644
The measurement of the thickness of thin SiC layers on silicon. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 641-644
Goldhahn, Rüdiger; Shokhovets, Sviatoslav; Romanus, Henry; Cheng, T. S.; Foxon, C. Thomas
Free exciton recombination in tensile strained GaN grown on GaAs. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 1271-1274
Free exciton recombination in tensile strained GaN grown on GaAs. - In: Silicon carbide, III-nitrides and related materials, (1998), S. 1271-1274