A study of hydrogen sensing performance of Pt-GaN Schottky diodes. - In: IEEE sensors journal, ISSN 1558-1748, Bd. 6 (2006), 5, S. 1115-1119
https://doi.org/10.1109/JSEN.2006.881346
Work function analysis of GaN-based lateral polarity structures by Auger electron energy measurements. - In: Journal of applied physics, ISSN 1089-7550, Bd. 100 (2006), 7, 074909, insges. 3 S.
https://doi.org/10.1063/1.2353785
Investigation of the interface manipulation in SiC(100) on Si(100) with isovalent impurities. - In: Surface and interface analysis, ISSN 1096-9918, Bd. 38 (2006), 4, S. 444-447
http://dx.doi.org/10.1002/sia.2240
InN as THz emitter excited at 1060 nm and 800 nm. - In: Millimeter-wave and terahertz photonics, 2006, S. 61940I, insges. 9 S.
Mikro- und nanoelektromechanische Resonatoren für die Sensorik. - Aachen : Shaker, 2006. - 162 S.. - (Berichte aus der Halbleitertechnik) : Zugl.: Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2005
ISBN 3-8322-5275-4
Das Hauptziel der vorliegenden Dissertation war die Realisierung von unter normalen Umgebungsbedingungen arbeitenden Mikro- und Nanoresonatoren für die Sensorik. Das angestrebte Anwendungsgebiet ist die Viskositätsmessung, eine Temperaturmessung und selektive Sensoren für die Bio-Medizin. Hoch sensitive Sensorsysteme erfordern die Entwicklung und Optimierung einer Technologie für die Herstellung SiC-basierender mikro- und nanoelektromechanischer Resonatoren möglichst kleiner Masse. Der theoretische Anteil dieser Arbeit befasst sich mit der Resonatortheorie, dem Resonatordesign und dem Einfluss unterschiedlich verspannter Epitaxieschichten auf die zu erzielenden Resonanzfrequenzen. Die technologische Herausforderung bestand in der Entwicklung eines Epitaxieprozesses für gering verspanntes 3C-SiC und die Optimierung der Schichteigenschaften hinsichtlich der Anwendung als MEMS- und NEMS-Resonatoren. Des weiteren musste eine geeignete Strukturierungstechnik für das chemisch sehr stabile Material SiC mit der entsprechenden Ätzcharakteristik entwickelt werden. Diese Optimierung erfolgte bezüglich anisotroper und isotroper Ätzprofile sowie der Selektivität zwischen Silizium und Siliziumkarbid. Hierzu wurden drei unterschiedliche Plasmatechnologien charakterisiert und ihrer Anwendbarkeit für Mikro- und Nanostrukturen diskutiert. Die experimentelle Bestimmung der Resonanzfrequenzen und Resonatorgüten unter normalen Messbedingungen erfolgt mit einer Impulsmessmethode. Die unter Luft charakterisierten Resonatoren erzielen Resonanzfrequenzen bis 2 MHz und Resonatorgüten bis 350. Die Güte wird hauptsächlich durch die viskose Dämpfung der Luft bestimmt.
Tuning of surface properties of AlGaN/GaN sensors for nanodroplets and picodroplets. - In: IEEE sensors journal, ISSN 1558-1748, Bd. 6 (2006), 4, S. 881-886
https://doi.org/10.1109/JSEN.2006.877984
Nanocrystalline AlN:Si field emission arrays for vacuum electronics. - In: Physica status solidi, ISSN 1862-6319, Bd. 203 (2006), 7, S. 1839-1844
http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200565238
Pulsed mode operation of strained microelectromechanical resonators in air. - In: Applied physics letters, ISSN 1077-3118, Bd. 88 (2006), 25, S. 253501, insges. 3 S.
http://dx.doi.org/10.1063/1.2213950
Phase selective growth and properties of rhombohedral and cubic indium oxide. - In: Applied physics letters, ISSN 1077-3118, Bd. 89 (2006), 1, S. 011904, insges. 3 S.
http://dx.doi.org/10.1063/1.2219125
Growth of AlN nanowires by metal organic chemical vapour deposition. - In: Physica status solidi, ISSN 1521-3951, Bd. 243 (2006), 7, S. 1476-1480
http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200565205